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用微波烧结成功ZTM/SiCp三相复合陶瓷,SiC含量达到30vol%,提出“热过冲自我抑制”的思想。利用Al2O3+SiO2→Mul反应在微波烧吉ZTM/SiCp陶瓷中实现了“热地冲自我抑制”。提出了临界电场强度E*可作为判断是否会出现“热过冲”的判据。埋粉是调节微波场强的有效手段。SiC在低含量范围内有促进烧结的作用.