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针对传统的两温区气相合成高纯HgI2多晶体方法（工艺1）原料损失多、产量低等缺点，通过工艺优化，采用单温区安瓿旋转高温合成工艺（工艺2）合成了HgI2多晶粉体．对比了两种工艺条件下合成产物的物相和杂质含量，结果表明：相对于工艺1，工艺2中由于安瓿旋转和反应温度高，原料反应充分，HgI2多晶体的产量从占合成产物总量的309／6增大到90％．工艺2中杂质总量在10×10^-6以下，达到HgI2单晶体生长要求．