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采用雪崩热电子注入技术研究了富氮ＳｉＯｘＮｙ纳米级薄膜的陷阱特性。观察到该薄膜存在着受主型电子陷阱，随注入的增长、界面上产生的这种陷阱将起主导作用，其密度大过施主型界面电子陷阱，揭示出界面陷阱密度在禁带中分布，其密度随雪崩注入剂量增加而增大，禁带上半部增大得尤其显著，指出雪崩注入过程中在Ｓｉ／ＰＥＣＶＤ ＳｉＯｘＮｙ界面上产生两种性质不同的电子陷阱，并给出它们在禁带中的位置及密度大小关系。支持了界