一种氧化钛掺钴室温稀磁半导体材料的制备方法

来源 :稀有金属快报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：sunjiajun75

【摘要】

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本发明提供一种室温铁磁掺钴氧化钛稀磁半导体材料的制备方法，属于新型半导体自旋电子器件材料制备领域。该方法首先将rri氧化物和co氧化物进行混合，采用固相烧结反应法制备Co4

【机构】

：

北京大学

【出处】

：

稀有金属快报

【发表日期】

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2008年4期

【关键词】

：

半导体材料制备方法氧化钛室温掺钴自旋电子器件退火处理铁磁性

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本发明提供一种室温铁磁掺钴氧化钛稀磁半导体材料的制备方法，属于新型半导体自旋电子器件材料制备领域。该方法首先将rri氧化物和co氧化物进行混合，采用固相烧结反应法制备Co4Ti1-4O2材料，然后将co小。舶：材料压制成片，在含有氢气的气氛下进行退火处理，退火后的CoaTi。一p：材料具有室温铁磁性。采用本发明制得的室温铁磁．

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