线性IC由钴-60γ射线和2.2MeV电子引起的辐照损伤情况的比较

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用Co-60射线和2.2MeV电子,在100-20,000格雷(硅)的辐照强度下,测试了8个厂家的14种IC的总电离剂量响应。对每一种器件都测试了关键参数,并作了比较。其数据表明,Co-60源可能不适合作某些系统的模拟源,因为电子一般都有很强的破坏性,而且各个器件对于这里所用的两种辐射线有不可预料的响应性。 The total ionization dose response of fourteen ICs from eight manufacturers was tested with Co-60 radiation and 2.2 MeV electrons at an irradiance of 100-20,000 grays (Si). The key parameters were tested for each device and compared. The data shows that the Co-60 source may not be suitable as a simulation source for some systems because electrons are generally very damaging and each device has unpredictable responsiveness to the two types of radiation used here.
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