【摘 要】
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高Al组分的AlGaN材料的光谱响应范围在日盲紫外波段,但其表面较高的缺陷密度限制了其在日盲紫外探测领域的应用.为此,研究了表面修饰对AlGaN基日盲紫外光电探测器件的性能影响.采用化学自组装方法,将十八硫醇有机分子化学吸附在高Al组分的Al0.6Ga0.4N表面,制备出表面修饰的AlGaN基金属-半导体-金属型日盲紫外光电探测器件.与未经修饰的光电探测器对比验证了这种修饰过程能有效减少AlGaN材料的表面状态引起的不利影响,降低器件的漏电流,并显著提高器件响应度,从而实现具有高响应度的AlGaN基金属-
【机 构】
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江南大学 理学院,江苏 无锡 214122
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高Al组分的AlGaN材料的光谱响应范围在日盲紫外波段,但其表面较高的缺陷密度限制了其在日盲紫外探测领域的应用.为此,研究了表面修饰对AlGaN基日盲紫外光电探测器件的性能影响.采用化学自组装方法,将十八硫醇有机分子化学吸附在高Al组分的Al0.6Ga0.4N表面,制备出表面修饰的AlGaN基金属-半导体-金属型日盲紫外光电探测器件.与未经修饰的光电探测器对比验证了这种修饰过程能有效减少AlGaN材料的表面状态引起的不利影响,降低器件的漏电流,并显著提高器件响应度,从而实现具有高响应度的AlGaN基金属-半导体-金属型日盲紫外光电探测器制备.
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