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选用垂直于其表面的射频磁场对镀金膜的硅片进行了感应加热，由于磁场对材料加热具有选择性，感应热量首先作用于硅片上的金膜内，硅片先被传导加热到一定温度，然后被感应加热。理论上分析了该方法的可行性，初步试验结果表明，虽然金膜厚度低于感应趋肤深度，但在没有应用感应加热基座的情况下，几秒钟内就形成了金硅共晶相。另外，升温速度快，有效减少了加热过程中金对硅的扩散影响．该方法可广泛用于微系统封装中的圆片键合。