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采用电子辅助热丝化学气相沉积工艺，在1kPa反应气压和施加不同的偏流条件下，沉积了纳米金刚石薄膜．用X射线衍射，场发射扫描电镜和半导体特性表征系统对该薄膜进行了表征和分析．结果表明，施加偏流可以使薄膜晶粒呈现明显的（110）晶面择优取向，表面形貌发生较大变化．当偏流为8A时，薄膜晶粒达到最小值，约为20nm，薄膜表面也最光滑．本文讨论了在低气压和电子轰击条件下（110）晶面择优取向的形成机制及其对薄膜显微形貌和电阻率的影响关系．