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用局部旋转密度近似的方法研究GaN材料的电学性质与光学性质，用Cr跃迁金属替代GaN半导体中的N原子，其原子浓度为1．56％。这种材料用孤立和部分填充的中间带表征，是高效太阳电池的候选材料。对中间带的轨道成分进行分析表明，中间带主要由跃迁金属的t-群轨道构成。吸收系数的理论计算结果表明，半导体材料的次带吸收会导致太阳能转换效率的增加。