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使用自行设计的真空系统，采用介质阻挡放电等离子体增强化学气相沉积（DBD-PECVD）法，分别以CH4／N2、C2H2／N2、C2H4／N2混合气体作为反应气体，在单晶硅片上成功制备了CN薄膜。FTIR结果证实了薄膜中碳氮原子结合成化学键，Raman结果说明薄膜中含有类金刚石结构，AFM结果表明薄膜粗糙度随放电气压的升高而逐渐增大。三种混合气体沉积的CN薄膜，以CH4／N2的沉积速度最慢，薄膜表面粗糙度最小，含H量最少；C2H2／N2的沉积速度最快，薄膜表面粗糙度最大。