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本文研究了Si基SiO2光波导与高斯光束之间的耦合.用有效折射率法计算了波导TE模基模的分布;实验测试了与光斑直径小于10 μm的高斯光束的耦合位置允许误差.结果表明归一化耦合比在50 %以上时,x-y方向的位置误差应该在±5 μm内,z方向位置误差在±200 μm.
高斯光束—光波导的耦合
【摘 要】
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本文研究了Si基SiO2光波导与高斯光束之间的耦合.用有效折射率法计算了波导TE模基模的分布;实验测试了与光斑直径小于10 μm的高斯光束的耦合位置允许误差.结果表明归一化耦
【机 构】
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清华大学精密仪器系
【出 处】
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光电子·激光
【发表日期】
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2002年2期
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