【摘 要】
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多孔硅具有选择性生长以及可以迅速释放的特性,是MEMS工艺中很好的牺牲层材料.探讨了多孔硅牺牲层工艺的特点,并通过实验证明了其在电容式微传声器制备中的应用可能.提出可以
【机 构】
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中国科学院半导体研究所微电子中心传感技术国家重点实验室
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多孔硅具有选择性生长以及可以迅速释放的特性,是MEMS工艺中很好的牺牲层材料.探讨了多孔硅牺牲层工艺的特点,并通过实验证明了其在电容式微传声器制备中的应用可能.提出可以采用氧化多孔硅材料作牺牲层制备微传声器的空气隙的工艺方法,有效地解决其他牺牲层材料与振膜应力不匹配以及释放时间过长的问题,使微传声器的制备成品率得到提高.同时提出运用多孔硅牺牲层工艺制备微传声器的背极板声学孔,可以获得厚度达10μm以上的单晶硅作背极板,背极板刚性好,不会随着外加声压振动,有效地提高了微传声器的性能.
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