【摘 要】
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利用拉曼光谱分别对Bi4Ge3O12(BGO)晶体以及BGO:Pb(0.02 wt%),BGO:Al(0.02 wt%)进行了分析研究。测得的拉曼光谱显示,掺杂晶体对比纯的BGO晶体,在某些特征峰处,相对强度发生
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利用拉曼光谱分别对Bi4Ge3O12(BGO)晶体以及BGO:Pb(0.02 wt%),BGO:Al(0.02 wt%)进行了分析研究。测得的拉曼光谱显示,掺杂晶体对比纯的BGO晶体,在某些特征峰处,相对强度发生改变。此外,对于掺杂的晶体,部分拉曼特征峰会有偏移。因此,可以通过测定拉曼光谱来判定样品是否含有杂质。
The Raman spectra of Bi4Ge3O12 (BGO) crystals and BGO: Pb (0.02 wt%) and BGO: Al (0.02 wt%) were investigated. The measured Raman spectra show that the relative intensity of the doped crystals is different from pure BGO crystals at some characteristic peaks. In addition, for the doped crystals, partial Raman peaks will be offset. Therefore, it is possible to determine whether a sample contains impurities by measuring the Raman spectrum.
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