硅部分离化MBE方法及批量生产型装置

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在硅LSI中有以高速率为主要特点的双极型和以高密度化为主要目的的MOS型两类。在双极型LSI中,除纵向结构的BPT(结型晶体管)必需集成外,在元件间的隔离上主要是使用简便的外延基板;在MOS LSI中,为了集成横向结构的FET,由于深度方向隔离不太重要,故可以不用已往的外延基板。 There are two types of MOS type bipolar type that is characterized by a high rate of speed and a MOS type type whose main purpose is high density. In the bipolar LSI, in addition to the vertical structure of BPT (junction transistor) must be integrated, the isolation between elements is mainly the use of simple epitaxial substrate; MOS LSI, in order to integrate the horizontal structure of the FET, the depth direction Isolation is not important, so you can not use the previous epitaxial substrate.
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