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在N2气压为2．67×10^-2Pa,500℃的条件下，用MBE方法在GaAs(001)衬底上生长了InN的外延层。生长期间，In流量以3×10^14到24×10^14atoms/cm^2.s范围内变化，用X－射线衍射（XRD）和反射高能电子衍射（RHEED）法对InN膜进行了表征，发现在生长的初始阶段，所生长的InN属立方相，但随着外延层厚度的增加出现了InN层由立方相向六角相的相变。X－射线倒易空间图形测量表明在GaAs(001)衬底上生长的六角相InN其c-轴主要沿Ga