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为探究K掺杂对β-BaCu2S2晶体电子结构和光学性质的影响，采用基于密度泛函理论的第一性原理赝势平面波理论方法，对不同K掺杂比例β-BaCu2S2的电子结构和光学性质进行理论计算和分析．计算结果表明：β-BaCu2S2是一种直接带隙半导体，带隙值为0．566eV．由其能带结构可知，随着K掺杂比例的增加，β-BaCu2S。晶体的带隙变窄，导电性增强．此外，随着K掺杂物质的量比例的增加，晶体静态介电常数明显变大，说明此时有电子从价带跃迁到导带．K掺杂可以明显改变晶体的光学性质，随着K掺杂物质的量比例的增加，