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对不同组分、阱宽和垒宽的锗硅单量子和多量子阱样品的Ｃ－Ｖ特性及其与温度的关系进行了测量，并用数值方法解泊松方程模拟计算了单量子阱样品的Ｃ－Ｖ特性及其Ｃ－Ｖ载流子浓度分布，实验和模拟计算的结果均表明，Ｃ－Ｖ载流子浓度分布在量了阱位置有一个深度 高的峰值，它反映了被限制在阱中的载流子的积累，峰高随着量子阱异质界面的能带偏移的增加而增另，低温由于阱中载流子的热发射几率变小，阱中载流子深度的变化跟不上测试