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介绍了制备某太赫兹频率真空辐射光栅的超厚胶光刻工艺，针对工艺中的难点（大厚度和高深宽比）展开了深入分析。实验分析了基片处理、涂胶、前烘、曝光、后烘、显影等工艺过程对光刻的影响，通过优化工艺参数，解决了胶膜脱落、开裂，不同胶层间的结合，光栅沟槽间的光刻胶残留等问题，成功制备了厚度为700μm、深宽比为14的侧壁陡直、表面平整的双光栅结构胶膜。