【摘 要】
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对a-Si:(H,C1)薄膜进行了XPS和UPS测量,样品是利用辉光放电方法在SiH_4+H_2加SiCl_4+H_2混合气体中生长的.XPS的结果表明,根据Cl 2p发射峰和Si2p(或2s)发身峰的强度可以定量
【机 构】
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中国科学院半导体研究所,中国科学院半导体研究所,中国科学院半导体研究所,中国科学院半导体研究所,中国科学院半导体研究所,中国科学院半导体研究所
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对a-Si:(H,C1)薄膜进行了XPS和UPS测量,样品是利用辉光放电方法在SiH_4+H_2加SiCl_4+H_2混合气体中生长的.XPS的结果表明,根据Cl 2p发射峰和Si2p(或2s)发身峰的强度可以定量地确定Cl与Si的原子浓度比;UPS的结果可以解释为在这种a- Si:H:Cl中同时存在Si-H和Si-Cl结合键.
The XPS and UPS measurements of a-Si: (H, C1) thin films were carried out and the samples were grown by glow discharge in SiH 4 + H 2 plus SiCl 4 + H 2 mixed gas.The results of XPS showed that according to the emission peak of Cl 2p and The strength of the peak of Si2p (or 2s) peak can quantitatively determine the atomic concentration ratio of Cl to Si. The UPS results can be interpreted as the existence of both Si-H and Si-Cl bonds in this a-Si: H: Cl .
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