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2010年12月，韩国三星尖端技术研究所（SAIT）宣布，该研究所使用直径150mm的硅基板制作了栅长180nm的石墨烯FET，并验证能以202GHz的截止频率工作。石墨烯的成膜采用了半导体制造技术，以及亲和性较高的电浆辅助方式低温CVD法，成膜温度为650℃。
三星石墨烯FET截止频率达到202GHz
【摘 要】
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2010年12月，韩国三星尖端技术研究所（SAIT）宣布，该研究所使用直径150mm的硅基板制作了栅长180nm的石墨烯FET，并验证能以202GHz的截止频率工作。石墨烯的成膜采用了半导体制造技术，
【出 处】
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传感器世界
【发表日期】
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2011年3期
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