多晶碳化硅的氧化技术研究

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本文研究了 10 50~ 12 50℃温度下干氧和湿氧中多晶SiC/Si材料的氧化规律 ,讨论了氧化层厚度与时间、温度、气氛的关系 ,用Auger电子能谱仪对薄膜成分进行了分析。
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