新结构电致发光薄膜器件的发光区域

来源 :发光学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:shigoujushi
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在发光层中插入无发光中心的ZnS薄膜,研究了新结构器件发光层中发光中心周围的F^-的分布与发光中心在薄膜中位置的关系,确定在SiO2/ZnS:Tb界面附近区域的发光中心周围有较多的F^-远离该界面区域的发光中心周围的F^-离子较少,前一区域的发光中心的发光亮度较低,后一区域的发光中心的发光亮度较高,并拟合出前一区域的厚度为18nm。
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