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研究了 Cu掺杂对 Fe/Si多层膜的层间耦合和负磁电阻效应的影响。在用磁控溅射方法制备的 Fe/Si多层膜中,发现在 Si的标称厚度 tSi=1.9 nm附近存在一较强的反铁磁耦合( AFM)峰和与之相对应的负磁电阻峰。在 Si层中掺入 6%的 Cu后,发现反铁磁耦合峰的饱和场显著降低,峰宽变窄,峰位略向较厚方向移动。掺杂后磁电阻峰的缝宽和峰位变化与 AFM峰相似,而磁电阻峰值则略有下降。在液氮温度 T=77 K下,掺杂前后具有负磁电阻效应的多层膜样品的电阻率都降低,而磁电阻效应和饱和场均增大。实验结果