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Vishay 推出小面积新型20 V P道TrenchFET功率MOSFET
Vishay 推出小面积新型20 V P道TrenchFET功率MOSFET
来源 :单片机与嵌入式系统应用 | 被引量 : 0次 | 上传用户:aassddff1984
【摘 要】
:
Vishay Intertechnology,Inc.推出新型20 V P道TrenchFET功率MOSFET——vishay Siliconix Si8445DB。该器件采用MICRO FOOT芯片级封装,具有小面积以及1.2V时极低的导通电阻。
【出 处】
:
单片机与嵌入式系统应用
【发表日期】
:
2008年8期
【关键词】
:
功率MOSFET
面积
芯片级封装
导通电阻
INC
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Vishay Intertechnology,Inc.推出新型20 V P道TrenchFET功率MOSFET——vishay Siliconix Si8445DB。该器件采用MICRO FOOT芯片级封装,具有小面积以及1.2V时极低的导通电阻。
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