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对比了RIE,ECR,ICP等几种GaN干法刻蚀方法的特点。回顾了GaN干法刻蚀领域的研究进展。以ICP刻蚀GaN和AlGaN材料为例,通过工艺参数的优化,得到了高刻蚀速率和理想的选择比及形貌。在优化后的刻蚀工艺条件下GaN材料刻蚀速率达到340nm/min,侧墙倾斜度大于80°且刻蚀表面均方根粗糙度小于3nm。对引起干法刻蚀损伤的因素进行了讨论,并介绍了几种减小刻蚀损伤的方法。