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本文采用GaN功率管芯,以S参数为基础设计了一个X波段宽带功率放大器,并与实测数据进行了对比。结果表明该电路在6~12 GHz范围内,小信号增益全频段大于10 dB,饱和输出功率高于37 dBm,带内增益波动小于1 dB。
基于GaN管芯的X波段宽带功率放大器设计
【摘 要】
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本文采用GaN功率管芯,以S参数为基础设计了一个X波段宽带功率放大器,并与实测数据进行了对比。结果表明该电路在6~12 GHz范围内,小信号增益全频段大于10 dB,饱和输出功率高于
【机 构】
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中国电子科技集团公司第38研究所
【出 处】
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中国电子科学研究院学报
【发表日期】
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2015年5期
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