【摘 要】
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分子束外延(ＭＢＥ)用于制作量子阱激光器和其它ⅢⅤ族半导体器件。与通常用于硅基器件制作的离子植入法不同,分子束外延给薄膜生长提供更精密控制。然而,分子束外延的问题之一是缺
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分子束外延(ＭＢＥ)用于制作量子阱激光器和其它ⅢⅤ族半导体器件。与通常用于硅基器件制作的离子植入法不同,分子束外延给薄膜生长提供更精密控制。然而,分子束外延的问题之一是缺少可重复性,其部分原因由于测量衬底温度困难。一般情况下,这种温度用热偶测量。为了获得均匀的?
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