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<正> 80年代初,氧化钒系大功率PTC陶瓷热敏电阻出现了,关于这种材料的PTC效应的机理尚处在研究中。本文首次用正电子湮没技术研究这种材料随温度发生的金属-绝缘体(M-I)相变,讨论了正电子湮没参量与材料微观结构变化之间的关系。1.样品制备及实验
氧化钒系PTC陶瓷相变的正电子湮没研究
【摘 要】
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<正> 80年代初,氧化钒系大功率PTC陶瓷热敏电阻出现了,关于这种材料的PTC效应的机理尚处在研究中。本文首次用正电子湮没技术研究这种材料随温度发生的金属-绝缘体(M-I)相变,
【机 构】
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华中理工大学物理系,华中理工大学固体电子学系
【出 处】
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华中理工大学学报
【发表日期】
：
1990年4期
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