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利用变分法研究纤锌矿结构氮化物半导体材料中的浅杂质态问题．采用London模型，用变分法计算浅杂质态的结合能，研究材料的单轴异性对浅杂质态的结合能的影响．对GaN，AlN和InN三种材料进行数值计算，给出了结合能随异性角（总动量与主轴之间的夹角）的变化关系，结果表明结构异性对结合能的影响显著．
单轴异性对氮化物半导体中浅杂质态的影响
【摘 要】
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利用变分法研究纤锌矿结构氮化物半导体材料中的浅杂质态问题．采用London模型，用变分法计算浅杂质态的结合能，研究材料的单轴异性对浅杂质态的结合能的影响．对GaN，AlN和InN三种材
【机 构】
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内蒙古大学理工学院物理系,内蒙古农业大学理学院
【出 处】
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内蒙古大学学报(自然科学版)
【发表日期】
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2006年6期
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