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三星电子宣布正式领先量产业界第一款20nm级NAND芯片,可用在SD记忆卡与嵌入式内存解决方案,基于这先进的技术而发表的32Gb MLC NAND,更进一步扩展三星的记忆卡解决方案，可提供智能型手机、高阶IT应用与高效能记’I＇L卡更多开发选择。
三星电子正式开始量产第一款高效能20nm级NAND Flash内存
【摘 要】
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三星电子宣布正式领先量产业界第一款20nm级NAND芯片,可用在SD记忆卡与嵌入式内存解决方案,基于这先进的技术而发表的32Gb MLC NAND,更进一步扩展三星的记忆卡解决方案，可提供
【出 处】
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电子与电脑
【发表日期】
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2010年5期
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