【摘 要】
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本发明提供一种硅基肖特基势垒红外光学探测器，更具体地说，是一种暗电流足够低、能够在室温下有效工作的平面型波导基红外光学探测器。这种探测器是这样制作的：在一个“绝缘体上
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本发明提供一种硅基肖特基势垒红外光学探测器，更具体地说，是一种暗电流足够低、能够在室温下有效工作的平面型波导基红外光学探测器。这种探测器是这样制作的：在一个“绝缘体上硅”（SOI）结构的平面硅波导层（也称SOI层）上配置一层硅化物（或其它合适的金属层）；在该SOI结构的平面SOI层和硅化物上配置欧姆接点。这样，在平面SOI层内沿光学波导横向传播的光学信号就将从硅化物下面通过，
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ue＊M＃’＃dkB4＃＃8＃”专利申请号:00109“7公开号:1278062申请日:00.06.23公开日:00.12.27申请人地址:（100084川C京市海淀区清华园申请人:清华大学发明人:隋森芳文摘:本发明属于生物技
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