【摘 要】
：
用介质阻挡放电（DBD）等离子体增强化学气相沉积（PECVD）的方法,以硅烷为源气体,在沉积区域加载脉冲负偏压进行调节,在玻璃基片上沉积得到具有荧光特征的多孔硅纳米颗粒膜。沉积过
论文部分内容阅读
用介质阻挡放电（DBD）等离子体增强化学气相沉积（PECVD）的方法,以硅烷为源气体,在沉积区域加载脉冲负偏压进行调节,在玻璃基片上沉积得到具有荧光特征的多孔硅纳米颗粒膜。沉积过程的发射光谱结果表明,在412 nm处出现S iH＊（A2Δ→X2Π0-0）特征峰,证明放电沉积过程中存在不同程度的硅烷裂解。将脉冲负偏压固定在-300 V,当占空比从0.162增大到0.864时,薄膜的红外光谱显示S i—O—S i在1 070cm^-1伸缩振动吸收峰与800 cm^-1的弯曲振动峰都有所增强,而930 cm^-
其他文献
采用高温固相反应法制备Sr3Al2O6-3x/2Nx∶Eu2＋发光材料。发光光谱分析表明,该材料在400550nm可见光激发下,发射光谱为峰值波长为600 nm的宽带谱。XRD分析结果显示,Sr3Al2O6-3
在常温常压条件下,采用改进的金属催化化学腐蚀方法在n型单晶硅片（100）上制备了大面积垂直于硅衬底、直径均匀、排列整齐的硅纳米线阵列。分析了样品的表面形貌和反射谱,纳米线
利用传输矩阵法研究了正负折射率材料构成的异质结构光子晶体的光学传输特性。结果表明：当入射波正入射时,在这种异质结构光子晶体内出现了光子带隙,并且带隙内出现了3个极窄
利用苯乙烯与3-甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷（KH570）化学反应合成共聚前驱物,再采用凝胶-溶胶法,与四乙氧基硅烷在一定的条件下共同水解与缩合,合成了近红外染料[（环戊二烯）钴
用固源分子束外延技术（SSMBE）在GaAs（111）衬底上，采用不同的界面中断时间生长了多组AlGaAs／GaAs多量子阱样（MQWs），通过室温发光光谱和时间分辨克尔旋转谱（TRKR）研究了界面生长中断对发光
采用矢量光束传输法数值模拟了基于模式耦合的双芯光子晶体光纤的色散和非线性与其结构的关系。结果表明：通过在包层中移除一层空气孔以形成外纤芯并调整内外纤芯之间的距离及
对Tb^3＋掺杂的硅酸盐闪烁玻璃进行了研究。对玻璃基质、敏化剂、发光激活剂组分进行了优化,改进了熔制温度、保温时间、气氛等工艺条件。根据氟化物具有较好的稀土可溶性,具有
利用简单的水热合成法制备了β-NaGd0.794Yb0.200Ho0.001Tm0.005F4纳米颗粒。采用X射线粉末衍射（XRD）技术测定了样品的物相,结果显示样品为六角相。通过透射电子显微镜（TEM）和高
为寻求发光性能良好的配合物，设计合成了一种新的双酰胺配体1，4-二[（2＇-苄胺甲酰基苯氧基）癸氧基]苯（L），并在氯仿和乙酸乙酯溶液中合成了其与硝酸钐、硝酸铕和硝酸铽的发光稀土配合物
为了发展性能良好的固体染料激光器，多孔介质中镶嵌激光染料是一种可行的途径。将氧化多孔硅作为基质材料，通过浸泡的方式将激光染料Rh6G嵌入其中，形成Rh6G/氧化多孔硅复合膜，对