论文部分内容阅读
正确预测MEMS器件的挤压膜阻尼在器件的设计阶段具有非常重要的意义。提出了一个新的、考虑直流偏置电压引起静态变形的挤压膜阻尼模型。运用雷诺方程和弹性梁方程的耦合,将挤压膜问隙中的二维压力函数表示为长度方向的一维抛物线函数与宽度方向的一维余弦函数之积。由于模型考虑了直流偏置电压引起的静态变形的影响,有更广的应用范围。与实验结果的对比表明,模型有足够的精度。