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简述了金属化学机械抛光的机理。将半导体制造工艺中的化学机械抛光技术拓展并应用到W-Mo合金表面加工中，在实现W-Mo合金材料表面高平坦度、低粗糙度的前提下，提高W-Mo合金去除速率。针对W-Mo舍金的性质，选用碱性抛光液，并采用田口方法对抛光液pH值、抛光压力和抛光盘转速三个重要因素进行了优化设计，得到以去除速率为评价条件的综合最优抛光参数。实验分析表明，当抛光液pH值为11，抛光压力为80kPa，抛光盘转速60r／min时，可以获得较高的去除速率。