【摘 要】
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采用可调谐飞秒激光光谱技术 ,研究 Ga As中光生重空穴的超快弛豫动力学过程 .测得重空穴的弛豫时间为 1 50 fs,表明空穴的热弛豫由空穴 -空穴散射和空穴吸收光学声子共同决
【机 构】
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采用可调谐飞秒激光光谱技术 ,研究 Ga As中光生重空穴的超快弛豫动力学过程 .测得重空穴的弛豫时间为 1 50 fs,表明空穴的热弛豫由空穴 -空穴散射和空穴吸收光学声子共同决定 .给出光生空穴的空穴 -空穴散射率公式 ,说明价带类 | p〉波函数的各向异性使得低能量空穴的散射率变小 .计算得到的空穴弛豫时间与实验结果较好符合 .
The tunable femtosecond laser spectroscopy technique was used to study the fast relaxation kinetics of photoluminescence heavy holes in Ga As, and the relaxation time of heavy holes was found to be 150 fs, indicating that the thermal relaxation of holes is caused by holes - Hole Scattering and Hole Absorption Optical Phonon Together, the hole-hole scattering rate equation for the photogenerated hole is given, which shows that the valence band | p> anisotropy of the wave function makes the scattering rate of the low-energy hole Becomes smaller.The calculated hole relaxation time is in good agreement with the experimental results.
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