论文部分内容阅读
研究了出现单个角缺失形状缺陷的纳磁体逻辑器件的转换特性。采用磁学计算软件对该类奇异形状纳磁体逻辑器件在角缺失幅度、纳磁体厚度和磁性材料变化下的首选磁化特性进行了仿真，发现不同材料制备的角缺失型纳磁体逻辑器件其首选逻辑态出现在邻近的临界角缺失幅度上，坡莫合金纳磁体极易受角缺失形状缺陷的影响，镀膜厚度的增加和高饱和磁化材料阻碍了器件首选逻辑态的出现。这些结果为如何控制并应用奇异形状纳磁体逻辑器件的首选磁化特性提供了重要的理论参数。