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用低温生长GaAs红外晶体材料作为饱和吸收体兼输出镜,在二极管泵浦全固态激光器上实现了调Q锁模.激光器调Q运转阈值为2W.当注入泵浦功率为3.6W时,调Q锁模开始出现.当注入泵浦功率为8.4W时,平均输出功率达到837mW,调Q包络的重复频率为100kHz,锁模脉冲的重复频率为760MHz.
低温生长GaAs实现半导体泵浦红外激光器被动调Q锁模研究
【摘 要】
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用低温生长GaAs红外晶体材料作为饱和吸收体兼输出镜,在二极管泵浦全固态激光器上实现了调Q锁模.激光器调Q运转阈值为2W.当注入泵浦功率为3.6W时,调Q锁模开始出现.当注入泵浦
【机 构】
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山东师范大学物理与电子科学学院,济南,250014山大鲁能科技有限责任公司,济南,250014;中国科学院半导体研究所,北京,100083;天津大学精密仪器与光电子工程学院超快激光实验室,天津,300
【出 处】
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红外
【发表日期】
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2005年4期
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