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基于密度泛函理论结合跳跃模型和能带理论研究了氟、氯、氰基和N原子的引人对四硫富瓦烯（TTF）衍生物载流子传输性质的影响．计算结果表明，嵌N修饰会降低分子重组能，特别是当N原子靠近TTF主体环时作用更明显．与引入卤素修饰相比，引入氰基修饰的分子具有更小的电子和空穴重组能及更低的前线分子轨道（FMO）能级．同时迁移率的计算结果显示，分子6具有1．15cm2·V^-1·s^-1的高电子迁移率，考虑其较低的LUMO能级，推测其有望成为潜在的优异电子传输材料，而相似的电子和空穴迁移率使分子2有望