【摘 要】
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研究了通过多晶硅栅洲入氮离子氮化10nm薄栅SiO2的特性，实验证明氮化后的薄SiO2栅具有明显的抗硼穿透能力，它在FN应力下的氧化物陷阱电荷产生速率和正向FN应力下的慢态产生速率
【机 构】
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中国科学院半导体研究所传感技术国家实验室,中国科学院半导体研究所传感技术国家实验室
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研究了通过多晶硅栅洲入氮离子氮化10nm薄栅SiO2的特性，实验证明氮化后的薄SiO2栅具有明显的抗硼穿透能力，它在FN应力下的氧化物陷阱电荷产生速率和正向FN应力下的慢态产生速率比常规栅介均有显著下降，氮化栅介质的击穿电荷（Qbd)比常规栅介质提高了20％，栅介质性能的可能原因是由于离子注入工艺在栅SiO2中引进的N^+离子形成了更稳定的键所致。
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