【摘 要】
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利用真空蒸镀的方法,制备了结构为：ITO/m-MTDATA（20 nm）/NPB（10 nm）/Rubrene（0.2 nm）/DPVBi：BCzVBi（x nm,10%）/Alq_3（20 nm）/Cs_2CO_3：Ag_2O（2 nm,20%）/Al（100 nm）的器件.研究了掺杂层的不同厚
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利用真空蒸镀的方法,制备了结构为：ITO/m-MTDATA（20 nm）/NPB（10 nm）/Rubrene（0.2 nm）/DPVBi：BCzVBi（x nm,10%）/Alq_3（20 nm）/Cs_2CO_3：Ag_2O（2 nm,20%）/Al（100 nm）的器件.研究了掺杂层的不同厚度（x=20,25和30）对器件性能的影响.结果是当掺杂层的厚度为25 nm时,器件的性能最好.电流密度为285.064 m A/cm^2时,器件B获得最大亮度为13 560 cd/m^2,同时获得最大电流效率,
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