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在室温下测量了(?)—氮化硅—硅结构的电流—电压特性,给出了使用I—V 特性计算动态介电常数的方法.结果表明,在室温高电场下,电流传导主要服从Poo(?)e-Frenkel 发射机制而不是Schott(?)y 发射机制.
PECVD SiN薄膜在室温下电流传导机制的研究
【摘 要】
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在室温下测量了(?)—氮化硅—硅结构的电流—电压特性,给出了使用I—V 特性计算动态介电常数的方法.结果表明,在室温高电场下,电流传导主要服从Poo(?)e-Frenkel 发射机制而不
【机 构】
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西北电讯工程学院技术物理系,西北电讯工程学院技术物理系,西北电讯工程学院技术物理系 西安,西安,西安
【出 处】
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微电子学与计算机
【发表日期】
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1987年10期
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