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以钛酸甲丁酯和乙酸钡为主要原料，以乙二醇独甲醚为溶剂，采用溶胶凝胶法在（１００）低阻硅片上制备了ＢａＴｉＯ３薄膜电容，用ＸＲＤ分析了该薄膜的结构，发现薄膜在硅片上取向生长，同时又对薄膜的介电性质进行研究，结果表明，薄膜的介电特性在高频范围内随频率的变化比较稳定，并讨论了晶化温度对薄电容的影响。
BaTiO3薄膜的Sol—gel法制备及对其介电特性的研究
【摘 要】
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以钛酸甲丁酯和乙酸钡为主要原料，以乙二醇独甲醚为溶剂，采用溶胶凝胶法在（１００）低阻硅片上制备了ＢａＴｉＯ３薄膜电容，用ＸＲＤ分析了该薄膜的结构，发现薄膜在硅片上取向生长，同时又对薄膜的介电性质进行
【机 构】
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中国科学院新疆物理研究所
【出 处】
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新疆大学学报：自然科学版
【发表日期】
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2000年1期
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