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Zn扩散工艺在降低VCSELp型DBR串联电阻中的应用
Zn扩散工艺在降低VCSELp型DBR串联电阻中的应用
来源 :半导体光电 | 被引量 : 0次 | 上传用户:zhoubo1204
【摘 要】
:
垂直腔面发射激光器P型λ/4分布布喇格反射镜由于在AlAs/Al0.1Ca0.9As材料λ/4堆积层界面处存在大的势垒差,使得P型DBR串联电阻很大。
【作 者】
:
高洪海
高俊华
【机 构】
:
中科院半导体研究所
【出 处】
:
半导体光电
【发表日期】
:
1996年3期
【关键词】
:
半导体器件
激光器
扩散
Semiconductor Devices
Vertical Cavity Surface Emitting Lasers
Distr
【基金项目】
:
国家自然科学基金
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垂直腔面发射激光器P型λ/4分布布喇格反射镜由于在AlAs/Al0.1Ca0.9As材料λ/4堆积层界面处存在大的势垒差,使得P型DBR串联电阻很大。
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