飞思卡尔推出4 MbMRAM

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MRAM是磁阻随机存取存储器,它是利用巨磁阻(GMR)和隧道磁阻(TMR)效应以元件的磁化方向为依据来存储信息。它既具有DRAM的高集成度.又具有SRAM的高速度,并具有闪存的非易失性.是替代E2pROM和闪存的理想内存,有望成为下一代主流内存。2004年10月飞思卡尔推出4MbMRAM样品,型号为MR2A16A,存取时间为25ns/35ns.2005年量产。
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