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铁电薄膜有望被应用于“不挥发随机存储器（NvRAM)”，在这其中，Pb(Zr,Ti)O3（PZT）铁电薄膜由于有较大的剩余极化，较小的矫顽场，高居里点，以及与硅集成的可能性而得到了广泛的研究，但是，由于铁电薄膜与金属电极之间的界面不理想，以及铁电薄膜中的晶界角度过高，而大大降低了铁电电容器的性能，最近的研究表明，通过用导氧化物作电极，可部分的改善电薄膜的疲劳和保持性能，用脉冲激光沉积性能，最近的研究表明，通过用导氧化作物电采，可部分的改善电薄膜的疲劳和保持性能，用脉冲激光学沉积法（PLD），以YBa2Cu