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采用分子束外延方法制备了InGaAs/GaAs单量子阱,利用自组装的光致荧光探测系统,对其进行了光致荧光谱研究。考察了不同温度下荧光峰波长、峰形的影响。研究结果表明：高温时荧光主要是源于带—带间载流子跃迁,而在低温时则来源于束缚在量子阱中激子的跃迁。
InGaAs/GaAs单量子阱PL谱的温度变化特性
【摘 要】
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采用分子束外延方法制备了InGaAs/GaAs单量子阱,利用自组装的光致荧光探测系统,对其进行了光致荧光谱研究。考察了不同温度下荧光峰波长、峰形的影响。研究结果表明：高温时荧
【机 构】
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南开大学物理科学学院光子学中心
【出 处】
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光散射学报
【发表日期】
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2008年2期
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