P型ZnO薄膜制备的研究进展

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ZnO是一种性能优异的“低温蓝光工程”宽带隙Ⅱ-Ⅵ族半导体材料,但因本征施主缺陷和施主杂质引起的自补偿效应等使ZnO很难有效地实现n型向P型导电的转变。为此,阐述了Zn0薄膜的P型掺杂机理,介绍了国内外研究者在抑制自补偿、提高受主掺杂元素固溶度及寻求合适的受主掺杂元素等方面P型ZnO薄膜的最新研究进展。研究表明:增加ZnO材料中N原子固溶度的各种办法如施主-受主共掺杂、超声雾化气相淀积及本征ZnO薄膜在NH,气氛下后退火等和选择IB族中的Ag为受主掺杂元素是实现ZnO薄膜P型导电的有效措施。期望通过本综述
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