VHF—PECVD法氢化微晶硅薄膜的低温制备

来源 :半导体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:kms2007
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采用VHF-PECVD方法,以高氢稀释的硅烷为反应气体,低温条件下成功地制备了系列μc-Si:H薄膜,对薄膜的厚度测量表明:增大激发频率和反应气压能有效提高沉积效率,随着等离子体功率密度的增大,沉积速率呈现出先增后减的变化,薄膜的Raman光谱,XRD及TEM等测试结果表明,提高衬底温度或减小硅烷浓度,可增大薄膜的结晶度和平均晶粒尺寸;等离子体激发频率的增大只影响薄膜的结晶度,并使结晶度出现极大值;薄膜中存在(111),(220)和(311)三个择优结晶取向,且各结晶取向的平均晶粒尺寸不同。
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