【摘 要】
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利用真空固相反应法在703～863K的温度范围和保温时间60 min的制备条件下,快速合成了单相合金化合物NiTe2.所制备样品进行了物相结构(XRD)和微观结构(SEM)测试分析,室温附近进
【机 构】
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六盘水师范学院化学与材料工程学院,贵州六盘水553004;贵州大学材料与冶金学院,贵州贵阳550025
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利用真空固相反应法在703～863K的温度范围和保温时间60 min的制备条件下,快速合成了单相合金化合物NiTe2.所制备样品进行了物相结构(XRD)和微观结构(SEM)测试分析,室温附近进行了Seebeck系数和电阻率等电学性质的测试分析.结果 表明:采用固相反应可以快速制备出单相半导体化合物NiTe2.所制备出的样品存在复杂的晶体结构,样品内部存在不同尺度微气孔,气孔的平均直径在1～20μm之间.样品NiTe2具有较低的电阻率和Seebeck系数,当制备温度743K时,样品获得Seebeck系数最大绝对值19.53 μV/K,获得最小电阻率为0.18mΩ·cm,在此条件下样品获得最大ZT值为6.9×10-3.
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