1.78μm应变InGaAs-InGaAsP-InP分布反馈量子阱激光器

来源 :光电子．激光 | 被引量 : 0次 | 上传用户：xy479977530

【摘要】

：

采用低金属有机汽相外延(LP-MOVPE)生长大应变InGaAs/InGaAsP做有源区,研制了激射波长为1.78 μm的脊波导分布反馈(DFB)激光器,对于解理腔长为900 μm的激光器,室温时其激射

【作者】

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王书荣王辉王宝军朱洪亮张靖丁颖赵玲娟

【机构】

：

中国科学院半导体研究所光电子研发中心,香港中文大学电子工程系,中国科学院半导体研究所光电子研发中心

【出处】

：

光电子．激光

【发表日期】

：

2004年8期

【关键词】

：

分布反馈量子阱激光器 DFB 边模抑制比脊波导汽相外延腔长外微分分量光谱 Metallorganic vapor phase epitaxyOpe

【基金项目】

：

国家自然科学基金

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采用低金属有机汽相外延(LP-MOVPE)生长大应变InGaAs/InGaAsP做有源区,研制了激射波长为1.78 μm的脊波导分布反馈(DFB)激光器,对于解理腔长为900 μm的激光器,室温时其激射的阈值电流为33 mA,最大单面光输出功率/和单面外微分量子效率分别为8 mW和7%;此外,激射光谱边模抑制比(SMSR)为27.5 dB.

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